功能描述：MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? M2

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1440pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 11A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：I2PAK（TO-262）

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

标准包装：30

STI300N4F6

STI30N65M5

STI30NM50NSTB25NM50N-1

STI30NM60N

STI32N65M5

STI33N60M2

STI33N65M2

STI3400DCV

STI3400DCVCBE

STI34N65M5